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半導體級臭氧發生器
- 發布日期：2023-02-09 10:44:30
- 詳細介紹
半導體級臭氧發生器
半導體晶圓清洗、CVD化學處理 臭氧氧化處理
晶圓氧化 光刻膠處理 光掩膜 蝕刻工藝 抗蝕劑去除
一、概述
半導體級臭氧發生器應用于微電子產品生產用高純水、半導體、顯像管等制造業。臭氧分解和所需羥基的形成正好在污染物所處的位置上發生。通過采用這種方法達到了工藝上的目標，晶圓在一個被注入了干燥臭氧氣體的工藝腔中，同時水霧被噴到晶圓的表面。約240g/m3的高濃度臭氧被注入到工藝腔中，而同時把水以水霧或氣霧的形式噴到旋轉晶圓的表面。晶圓的旋轉，加上適度的噴水速率，會產生一個薄層中，臭氧發生反應產生活性物質來清除污染物。
二、主要技術參數:
